动态RAM(DRAM)以电荷形式存储信息的器件。
以INTEL2164为例
2164为64K×1
16根地址分为两组
RAS(行地址有效)时,
A0—A7有效
CAS(列地址有效)时,
A8—A15有效
DIN为数据输入,DOUT为数据输出
2164内部有4个128×128的存贮矩阵
DRAM必须在2ms内对所有内存单元刷新
RAS作为刷新的选通信号
刷新时按行进行,且数据线不起作用
代码片段和文件信息
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